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    ME-L 穆勒矩阵椭偏仪
    ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多...
  • 概述

    ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业最新最前沿的创新技术,包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。可应用于各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析。



    双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素;
    配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块;
    软件交互式界面配合辅助向导式设计,易上手、操作便捷;
    丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力。



    产品特点

    采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm);

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    可实现穆勒矩阵数据处理,测量信息量更大,测量速度快、数据更加精准;

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    基于双旋转补偿器配置,可一次测量获得全部穆勒矩阵的16个元素,相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富全面的测量信息;
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    颐光专利技术确保在宽光谱范围内,提供优质稳定的各波段光谱;
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    数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料;

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    集成对纳米光栅的分析,可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息;

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    产品应用

    半导体薄膜结构:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等;

    半导体周期性纳米结构:纳米光栅,套刻误差,T型相变存储器等;

    新材料,新物理现象研究:材料光学各向异性,电光效应、弹光效应、声光效应、磁光效应、旋光效应、Kerr效应、Farady效应等;

    平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;

    光伏太阳能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系数测量,膜层厚度及表面粗糙度测量等;

    功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;

    生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理等;

    块状材料分析:固体(金属、半导体、介质等)或液体(纯净物或混合物)的折射率n和消光系数k表征,玻璃新品研发和质量控制等。

    建议配件

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    温控台Mapping扩展模块真空泵透射吸附组件


  • 技术参数

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    可选配置

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  • 下载链接


    icon_pdf.gifME-L穆勒矩阵椭偏仪产品彩页.pdf

    文件大小: 3.38 MB
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