在外延片加工过程中，需对厚度、电阻率、元素含量等参数进行精确监控。异质外延（如GaAs/Si衬底上的GaN外延）因膜层与衬底折射率差异显著，可采用椭偏仪实现外延层厚度表征；而同质外延（如Si衬底上Si外延、SiC衬底上SiC外延）因衬底和外延层的晶体结构完全相同，导致其衬底和外延层的折射率在可见和近红外波段几乎一致，仅在中远红外波段存在差异，常规椭偏仪不适用，其他手段如扫描电镜又会破坏样品，因而需采用FTIR(傅里叶变换红外干涉仪)进行外延层厚度表征。
图1 SiC MOSFET结构示意图
颐光科技推出IRE200型傅里叶变换红外干涉仪设备，可满足同质外延层厚度和元素浓度的精确表征。 图2 IRE200设备示意图 1 技术原理 图3 FTIR仪器原理图 图4 FTIR时域转频域示意图 2 可测功能 ✔ Si、SiC、GaAs等同质外延的外延层厚度 ✔ SiC Buffer层及SiC多层外延的每层厚度 ✔ Si晶圆中的C、O元素含量 ✔ BPSG中的B、P元素含量 ✔ FSG中的F元素含量 3 应用案例 ✦ 单层同质外延测量案例 ● 和客户BSL数据匹配，斜率和R2均可做到0.95以上，满足tool match需求。 ● 和客户BSL数据匹配，斜率和R2均可做到0.95以上，满足tool match需求。 ✦ 多层SiC同质外延测量案例 ● 准确量测出3层SiC EPI层厚度，和客户预期结果相符。 ✦ 元素浓度测量案例 ● 和客户BSL数据匹配，斜率和R2均可做到0.95以上，满足tool match需求。 ● 和客户BSL数据匹配，斜率和R2均可做到0.95以上，满足tool match需求。 END 邮箱|sale@eoptics.com.cn 电话|+86 027-87001728 网址|www.eoptics.com.cn
