近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在功率电子器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，由中国电子学会电子材料学分会和中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会共同主办的第三届全国宽禁带半导体学术会议在是十三朝古都-西安胜利召开。

会议于2019年10月17开幕，来自全国各地专家学者近600人齐聚一堂围绕材料制备和测试分析设备、材料生长和物性分析、发光器件、探测与成像器件、功率电子与射频电子器件、以金刚石为代表的新型宽禁带半导体材料与器件六个主题进行讨论。

武汉颐光科技作为国内半导体椭偏表征能力引领者，在现场展示其在宽禁带半导体研究多年积累的案例以及相关椭偏产品，并现场演示样件测试，得到参会人员一致好评。广西大学冯教授作为本公司最早的一批椭偏使用客户，该设备已经服役四年多，各方面性能依然非常优秀，为该课题组论文支撑做出了突出贡献。