全穆勒矩阵测量技术
自主研发全穆勒矩阵椭偏测量技术 相较于传统光谱椭偏仪只能改变“波长”和“入射角”2个测量条件并在每一测量条件下只能获取振幅比Psi与相位差Delta2个测量参数相比，
穆勒矩阵椭偏仪（Muller matrix ellipsometry，MME）可以改变波长、入射角和方位角3个测量条件，而已在每一测量条件下都可以获得一组4×4阶穆勒矩阵共16个参数，因此可以获得更为丰富的测量信息。
两种技术差异还体现在：
传统光谱椭偏仪基于琼斯矢量仅限于描述完全偏振光，不能描述部分偏振光或非偏振光。而具备全穆勒矩阵椭偏技术，针对样品（或光学元件）可以使用斯托克斯–穆勒矩阵来表示。这种情况中，每个光束由构成斯托克斯矢量的四个实际强度描述，而4×4穆勒矩阵表示光的变换。对于斯托克斯-穆勒矩阵，各向同性样本非对角线2×2块为零（由于p和s波之间不存在交叉极化），如图：
因此通过”全穆勒矩阵测量技术“所研制出来的穆勒矩阵椭偏仪所拥有常规的光谱椭偏仪难以比拟的技术优势： 
双旋转补偿器同步控制技术
（基于双旋转补偿器(DRC, dual rotating compensator)配置的广义椭偏仪可以一次测量获得全部穆勒矩阵的 16 个元素，并且适合宽波段的要求）双旋转补偿器同步控制调制技术：基于PCr1SCr2A结构，通过同步控制旋转Cr1/Cr2进行调制，可一次性得到全穆勒矩阵16元素。从左往右的穆勒矩阵分别对应于起偏器、第一补偿器、样品、第二补偿器、检偏器。其中，对应于起偏器、补偿器、检偏器的穆勒矩阵是归一化的。
超级消色差补偿器设计技术
（颐光科技“超级消色差复合玻片设计”技术消除光在补偿器件中相位延迟，并完美覆盖宽波段的要求）双旋转补偿器同步控制调制技术：基于PCSA/PCr1SCr2A两种旋转补偿器椭偏调制技术的椭偏测量技术架构中，λ／４波片是一种常用的位相延迟器件，通常由多种不同材料的双折射晶体组成，由于不同材料的色散不一样，因此可以在很宽的波长范围内产生相位延迟。
颐光科技团队针对覆盖深紫外到近中红外波段范围，设计复合式多玻片方案配合严苛的加工工艺技术，实现宽光谱相位延迟达到理想范围内，保障全光谱椭偏测量绝对精度。
超小微光斑探测技术
自主研发超小微光斑椭偏测量技术【30μm超微光斑】基于颐光科技强大机械/光路设计能力配合领先算法的开发技术，研制出30μm超微光斑测量技术，并稳定应用在国内领先知名大型的OLED生产企业中应用于OELD工艺段薄膜物性的在线连续监测。
透明基底消背反测量技术
（基于微光斑+光学自准直仪配置，加持消背反光路设计，可直接消除半透明/透明背面反射“无效”椭偏信息）颐光科技消背反测量技术：消背反原理：基于已设计消背反光路仪器方案，利用光学自准直仪标平光学测量角度，从基底反射无效信息无法进入微光斑进光孔
解决方法：配置光学自准直仪，加装微光斑（200μm/100μm/30μm规格可选）
须知：针对不同基底厚度+基底折射率需配置不同规格微光斑
纳米光栅表征测量技术
（开发利用全穆勒矩阵测量技术去表征纳米光栅结构信息）“纳米光栅结构信息”椭偏表征独特技术：基于颐光科技创新技术“严格耦合波”算法，通过测量更全更强大的穆勒矩阵椭偏仪，同时测量在“角度”，“波长”，“方位角”条件下全穆勒矩阵16元素。
配合“360°自动旋台”基于“穆勒矩阵辅对角元素”查找光栅方位角0/90deg得到光栅穆勒矩阵椭偏光谱。利用Grating算法模型最终获取纳米光栅结构中周期Period、线宽Top-CD、底宽Bottom-CD、线高Thickness、侧壁角Offset、粗糙度Roughness等几何形貌信息；
（穆勒矩阵表征纳米光栅示意图）
（典型纳米结构表征案例）
（具有残胶厚度不均匀性的纳米压印光栅样件及其退偏指数的测量与模型计算拟合结果）
